TSMC
iniciará
la
fabricación
de
circuitos
integrados
de
1,6
nm
en
2026.
No
se
trata
de
ninguna
conjetura;
lo
ha
confirmado
C.
C.
Wei,
el
director
general
de
la
compañía,
hace
apenas
unas
horas
en
el
evento
North
America
Technology
Symposium
que
se
ha
celebrado
en
Santa
Clara
(California).
Este
movimiento
es
mucho
más
que
una
declaración
de
intenciones;
es
claramente
un
toque
de
atención
a
una
Intel
que
está
decidida
a
arrebatar
a
TSMC
el
liderazgo
que
ostenta
actualmente
en
la
industria
de
los
semiconductores.
«Nuestra
tecnología
mejorará
drásticamente
la
densidad
y
el
rendimiento
de
los
chips
[…]
En
TSMC
ofrecemos
a
nuestros
clientes
el
paquete
de
tecnologías
más
completo
para
que
puedan
hacer
realidad
sus
proyectos
de
inteligencia
artificial
(IA)
utilizando
la
tecnología
de
silicio
más
avanzada
del
mundo»,
declaró
Wei
durante
el
evento
californiano.
Este
anuncio
persigue
reclamar
la
atención
en
un
momento
en
el
que
Intel
y
Samsung
están
afinando
su
estrategia
para
incrementar
su
cuota
de
mercado
en
detrimento
de
la
de
TSMC
tanto
como
sea
posible.
La
ambición
de
Intel
ha
obligado
a
TSMC
a
pisar
el
acelerador
El
plan
de
Intel
a
corto
y
medio
plazo
para
crecer
como
fabricante
de
semiconductores
es
estremecedor
por
su
gran
ambición.
Y,
curiosamente,
los
equipos
de
litografía
de
ultravioleta
extremo
(UVE)
y
alta
apertura
que
ya
está
fabricando
la
compañía
neerlandesa
ASML
tienen
un
rol
protagonista
en
su
estrategia.
En
2025
comenzará
a
realizar
las
primeras
pruebas
de
producto
empleando
esta
máquina,
aunque
los
primeros
circuitos
integrados
producidos
con
ella
saldrán
del
nodo
14A
durante
2026.
En
2025
Intel
comenzará
a
realizar
las
primeras
pruebas
de
producto
empleando
el
equipo
de
litografía
UVE
de
alta
apertura
Ya
en
2027
Intel
pondrá
en
marcha
una
revisión
presumiblemente
mejorada
de
este
nodo
que
recibirá
el
nombre
14A-E.
Estos
dos
nodos
marcarán
el
inicio
de
la
fabricación
de
chips
utilizando
los
nuevos
equipos
de
litografía
UVE
y
alta
apertura
de
ASML.
Según
Intel
estas
máquinas
ayudarán
a
los
fabricantes
de
circuitos
integrados
que
apuesten
por
ellas
a
sostener
la
ley
de
Moore
durante
más
tiempo.
Tanto
ASML
como
Intel
defienden
que
estas
máquinas
han
sido
diseñadas
para
ayudar
a
los
fabricantes
de
semiconductores
a
incrementar
la
resolución
de
sus
procesos
litográficos
sin
que
aumente
la
complejidad.
El
camino
que
va
a
seguir
TSMC
es
diferente.
Kevin
Zhang,
vicepresidente
de
desarrollo
de
negocio
de
esta
compañía,
sostiene
que
ellos
no
necesitan
los
equipos
de
litografía
UVE
de
alta
apertura
de
ASML
para
fabricar
chips
en
su
nodo
A16
(1,6
nm).
Es
evidente
que
confían
en
su
capacidad
de
optimizar
los
procesos
involucrados
en
la
producción
de
circuitos
integrados
en
las
máquinas
UVE
convencionales.
A
principios
de
enero
Szeho
Ng,
un
analista
de
China
Renaissance,
vaticinó
que
TSMC
no
utilizaría
los
equipos
UVE
de
alta
apertura
de
ASML
hasta
que
introdujese
su
tecnología
de
integración
de
1
nm.
El
medio
DigiTimes
Asia,
que
habitualmente
maneja
información
muy
fiable,
se
ha
mojado
y,
al
igual
que
Szeho
Ng,
defiende
que
TSMC
no
utilizará
los
equipos
de
litografía
más
avanzados
de
ASML
en
sus
nodos
de
2,
1,6
y
1,4
nm.
De
ser
así
esta
decisión
tendría
repercusiones
muy
importantes.
Por
un
lado
la
postura
de
TSMC
nos
recuerda
que
con
los
refinamientos
adecuados
los
equipos
de
litografía
UVE
de
primera
generación
pueden
ser
utilizados
para
producir
chips
de
2
nm,
e,
incluso,
más
allá
(ya
veremos
con
qué
rendimiento
por
oblea).
Y,
además,
si
finalmente
TSMC
confirma
esta
estrategia
no
empezaría
a
producir
circuitos
integrados
de
forma
masiva
empleando
la
máquina
UVE
High-NA
de
ASML
hasta
finales
de
esta
década.
Probablemente
hasta
2029
o
2030.
Veremos
qué
tal
le
va
a
Intel
con
estos
equipos.
Cabe
la
posibilidad
de
que
si
la
apuesta
le
sale
bien
a
Pat
Gelsinger
esta
empresa
estadounidense
consiga
colocar
en
el
mercado
chips
de
vanguardia
con
un
coste
muy
competitivo.
Esta
es,
precisamente,
una
de
las
bazas
que
según
ASML
propone
su
equipo
de
litografía
más
avanzado.
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